11月25日消息，三星在上个月宣布成功研发出首款24Gb（即3GB）的GDDR7 DRAM之后，近日其官方网站显示，该公司已推出了速度更快的样品版本。相比原先28Gbps的速率（对应型号为K4vcf325zc-sc28），新样品的速率进一步提升到了32Gbps（型号K4vcf325zc-sc32）和36Gbps（型号K4vcf325zc-sc36）。
虽然英伟达打算在GeForce RTX 50 SUPER系列显卡里使用3GB模块已是公开消息，不过是否会选用频率更高的版本还没确定，但三星这次提升频率无疑给下游厂商提供了更丰富的选择。
从技术角度来看，24Gb GDDR7运用了三星第五代10纳米级别的DRAM工艺，在保持封装尺寸相同的条件下，存储单元的密度提高了50%。
和GDDR6采用的NRZ/PAM2或者GDDR6X的PAM4编码方式不一样，GDDR7第一次运用了PAM3信号编码方式，让数据传输效率得到了进一步的提升。
此外，三星还把多项原本应用在移动产品上的能效技术融入图形DRAM，其中涵盖“时钟控制管理”与“双电压（VDD）设计”，能大幅减少不必要的功耗，让整体能效提高超30%。为保证高频率运行时的稳定性，GDDR7进一步运用了电源门控设计，可有效控制电流泄漏问题。
